SK Hynix Preuzima Vodeću Poziciju na Tržištu NAND Flash Memorije
Samsung i SK Hynix nastavljaju svoj žestoki okršaj na tržištu NAND flash memorije, a SK Hynix je nedavno preuzeo vodstvo s novim pionirskim lansiranjem. Ova tvrtka, koja je drugi najveći proizvođač memorijskih čipova na svijetu, postala je prva koja je započela masovnu proizvodnju triple-level cell (TLC) NAND flash memorije s više od 300 slojeva.
Revolucija u skladištenju podataka
SK Hynix je nedavno predstavio svoj novi 321-slojni, 1-terabitni TLC 4D NAND flash koji bi mogao revolucionizirati industriju skladištenja podataka. Ovaj inovativni proizvod otvara put za pristupačnije ultra-visokokapacitetne čvrste diskove (SSD) koji će imati kapacitet veći od 100TB. S sektorem NAND koji se natječe za unapređenje tehnologije skladištenja podataka, postignuće SK Hynixa predstavlja ključnu prekretnicu u ovoj industriji.
- Prošle godine, SK Hynix je lansirao 238-slojni NAND flash.
- 321-slojni NAND flash postavlja nove industrijske standarde.
- Planiraju opskrbiti kupce u prvoj polovini 2025., fokusirajući se na rastuće tržište umjetne inteligencije (AI).
Tehnološki Napredak
Postignuće 321-slojnog NAND flash-a omogućeno je zahvaljujući SK Hynixovoj tehnologiji “Tri Utičnice”, koja uključuje električno povezivanje tri utičnice kroz optimizirani slijed koraka. To značajno poboljšava brzinu, energetsku učinkovitost i općenite performanse čipova.
- Razvijen je materijal s niskim naponom stresa.
- Uvedena je tehnologija koja automatski ispravlja poravnanje među utičnicama.
Ovaj novi 321-slojni proizvod nudi poboljšanje brzine prijenosa podataka za 12% i 13% poboljšanje u performansama čitanja u odnosu na prethodni 238-slojni NAND. Dodatno, smanjuje potrošnju energije za više od 10%, što omogućava 59% povećanje produktivnosti. Ova nova NAND tehnologija pruža superiorna skladišna rješenja za AI podatkovne centre i aplikacije na uređajima.
Samsung Neostaje Daleko Iza
Dok je SK Hynix postigao ovaj povijesni uspjeh, njihov glavni konkurent, Samsung, također je vrlo aktivan. Izvještaji sugeriraju da Samsung radi na 400-slojnim NAND flash čipovima koje planiraju lansirati do 2026. godine. Njihova strategija uključuje razvoj tehnologije vezivanja vertikalnog NAND (BV NAND), koja će omogućiti još veću gustoću skladištenja i smanjeno nakupljanje topline.
Samsungov dugoročni cilj je uvesti NAND čipove s više od 1.000 slojeva do 2030. godine, potencijalno razbijajući granicu skladištenja od 200TB za SSD-ove pokretane umjetnom inteligencijom.
Zaključak
SK Hynix nastavlja krojiti budućnost technologie skladištenja podataka s inovacijama koje postavljaju nove standarde. Njihova posvećenost razvoju visokih performansi i energetski učinkovitih rješenja za AI čini ih snažnim igračem na tržištu. Dok se natjecanje između SK Hynixa i Samsunga intenzivira, korisnici mogu očekivati nevjerojatne napretke u skladištu podataka koja će oblikovati svijet tehnologije u godinama koje dolaze.
