Revolucija u 3D NAND Flash Memoriji: Nova Tehnika Etching-a
Hladna rotacija industrije memorije započela je s razvojem 3D NAND flash memorije, koja se značajno razlikuje od tradicionalne jednostruke NAND memorije. Ključna prednost 3D NAND memorije leži u tome što vertikalno slaže memorijske ćelije, čime se povećava kapacitet po jedinici prostora. Međutim, proces izrade ovog naprednog skladišta do sada je bio spor, sve do sada.
Nova Plasma Tehnika koja Promijenjuje Igru
Tim istraživača iz Lam Research-a, Sveučilišta Colorado Boulder i Laboratorija za plazmu pri Ministarstvu energetike SAD-a (PPPL) razvio je novu plazma-tehniku koja omogućava brže etching dubokih, uskih rupa potrebnih za 3D NAND memoriju. U članku objavljenom u Journal of Vacuum Science & Technology A, istraživači navode da je nova metoda značajno brža.
Korištenje Hladnog Etching-a
Prema Thorstenu Lillu iz Lam Research-a, proces koji koristi plazmu vodik-fluorida omogućava značajno povećanje brzine etchinga u usporedbi s prethodnim metodama. “Cryo etch s plazmom vodik-fluorida pokazao je značajno povećanje brzine etchinga u odnosu na prethodne procese”, rekao je Lill. Brzina etchinga za slojeve porasla je s 310 nanometara po minuti na 640 nanometara po minuti, što više nego udvostručuje učinkovitost.
Poboljšanje Kvalitete i Povezani Izazovi
Kvaliteta etchinga također se poboljšala, što je značajan korak naprijed. Istraživači su također ispitivali utjecaj fosfor-trifluorida. Njegovo dodavanje tijekom procesa povećalo je brzinu etchinga silikonskog dioksida čak četiri puta, iako je utjecaj na silikonski nitrid bio skroman. Uz to, promatrali su i amonijev fluorosilikat, kemikaliju koja se formira tijekom etching procesa, koja usporava etching. Međutim, dodavanje vode pokazalo se kao rješenje za ovaj izazov.
Praktične I Povezane Posljedice
Unatoč tehničkom napretku, praktične posljedice ovog otkrića još uvijek nisu sasvim jasne. Brže i bolje brzine etchinga mogle bi pojednostaviti i ubrzati proizvodnju. No, pitanje je hoće li se ti uštede prenijeti na poboljšane ili jeftinije uređaje za pohranu podataka.
Važnost za Budućnost Pohrane Podataka
Igor Kaganovich, glavni istraživač u PPPL-u, objašnjava: “Većina ljudi poznaje NAND flash memoriju jer se koristi u memorijskim karticama za digitalne kamere i USB uređajima. Ova vrsta memorije se također koristi u računalima i mobilnim telefonima. Izradom guste memorije, koja omogućava pohranu više podataka u istom prostoru, bit će sve važnija kako se potrebe za pohranom podataka povećavaju, posebno s rastućom primjenom umjetne inteligencije.”
Zaključak
Razvoj nove plazma-tehnike etching-a zasigurno će unaprijediti proizvodnju 3D NAND flash memorije, čime će se zadovoljiti sve veći zahtjevi za pohranu podataka. Dok su praktične implikacije još uvijek predmet rasprave, jasno je da je ovakav napredak ključan za budućnost digitalne pohrane.
Budite u toku s najnovijim istraživanjima i inovacijama u svijetu tehnologije i pohrane podataka!
